7月30日，2021第三代半导体快充产业峰会在深圳圆满举办，现场近百家快充芯片原厂及快充产业链配套企业出席，共同探讨第三代半导体快充发展新趋势。瑞芯微在现场展出了两款全新通用快充协议芯片RK835、RK837及部分已量产的品牌快充产品，备受关注。

图：峰会现场

       瑞芯微快充协议芯片RK835及RK837，均支持PD2.0/PD3.0/QC2.0/3.0/4.0/4.0+/ VOOC协议。内部集成Arm Cortex-M0内核，56K Flash实现PD和其他专有协议，可支持10万次以上的重复烧录。其中，RK837可支持恒压恒流。

RK835 芯片特性：

• 内部集成的ADC可以连续地检测电压，电流，温度和通过GPIO引脚反馈的系统参数

• 所有的GPIO均可配置成边缘触发中断，DP/DM引脚可配置UART模式和BC1.2模式

• 支持I2C接口和主从模式，内部集成了输出放电功能，支持18到100W输出

• DP/DM/CC1/CC2引脚均支持24V耐压，可有效防止损坏的数据线造成产品损坏，并内置了过流、过压和过热保护